为全面推进集成电路产业高质量发展，近日，杭州市实施五大行动、出台14项举措，促进集成电路产业高质量发展，打造万亿级智能物联产业集群凝聚硬核力量。

一、发展目标。一是产业能级倍增。到2025年，全市集成电路产业规模实现800亿元、冲刺1000亿元，年均增长20%；培育营收百亿元企业1—2家、50亿元企业3家以上、10亿元企业10家以上。二是空间布局合理。打造“一核一廊多点”空间格局。“一核” 即滨江创新核，“一廊”即城西科创大走廊，“多点”即以钱塘区、萧山区、富阳区、桐庐县、余杭区为重点，打造国家级特色工艺半导体制造基地。三是创新能力提升。到2025年，在人工智能芯片、视觉处理芯片、服务器芯片、车规级芯片、量子计算芯片、类脑计算芯片、化合物半导体等领域形成一批创新成果，集成电路重点企业研发费用占营业收入比超5%。四是平台服务强化。培育集成电路集群促进机构，加强平台服务功能，支持龙头企业创建高端芯片、特色工艺、化合物半导体等技术研发中心，每年新增企业研发机构5家（含）以上。五是产业风险可控。落实国家集成电路重大项目行业指导制度。规范市域项目布局，集中资源支持高端项目，避免重复建设一般项目。压实重大项目市场主体责任，严格落实国家动态监管要求，加强项目全生命周期管理。

二、重点任务。一是实施高端设计引领行动。推进集成电路高端芯片研发计划和产业链协同创新项目，大力发展高端模拟芯片和数模混合芯片。以滨江区、城西科创大走廊、临平区为重点，提升发展射频传感器、基带、交换、光通信、显示驱动、电源管理、RISC-V、物联网智能硬件、车规级、FBAR滤波器、存算一体等新型专用芯片；创新发展嵌入式系统、存储器、处理器、服务器等高端通用芯片；培育发展类脑计算、边缘计算、量子计算、柔性电子、化合物半导体等前沿技术产品。二是实施特色制造提升行动。构建特色工艺芯片制造产线，培育百亿级链主企业。支持采取CMOS、MOSFET等工艺技术，发展IGBT、智能传感器、MEMS、FinFET、半导体激光器、光电器件等产品。支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟、氮化铝等化合物半导体项目建设。以钱塘区、萧山区、富阳区、桐庐县、余杭区为重点，支持成熟制程成套工艺芯片制造产线项目。支持城西科创大走廊规划建设高端存储重大项目。三是实施关键材料设备攻关行动。以滨江区、钱塘区、富阳区、临安区、萧山区、余杭区、临平区、建德市为重点，支持大尺寸硅片等关键材料的研发攻关；提升光刻胶、高纯化学试剂、电子气体、功能高分子材料等的自给率和本地化配套率；提高电路测试、分选、超洁净流控系统、半导体外延、化学机械平坦化抛光等设备的研制能力，突破一批关键核心技术。四是实施平台能级跃升行动。提升杭州国家“芯火”双创基地、浙江省集成电路创新中心、钱塘芯谷、镓谷射频产业园、临安云制造小镇、杭州集成电路测试服务中心等平台的运营服务水平，促进创新基地、研发平台和产业基地的联动发展。依托骨干企业、科研院所构建中小企业孵化平台，为初创企业提供技术开发、信贷融资、市场推广、法律诉讼、知识产权等指导服务。五是实施长三角协同攻关行动。探索长三角协同攻关“揭榜挂帅”机制，推动长三角区域芯片、软件和终端企业多方联动，围绕终端系统需求部署开展协同攻关，构建自主可控IP核布局。打造长三角“芯机联动”对接平台，支撑重大应用场景的开发。

三、政策措施。14条具体举措，重点聚焦以下几个方面：一是鼓励重大制造项目落地。对通过国家行业指导的市重大产业项目，统筹市区两级现有政策，做好项目用地、人才等要素保障。二是加大首次流片、关键材料、核心设备和EDA工具的支持。对重点支持领域的高端芯片产品，首次流片费用1000万元以上的，按照不超过其流片费用的15%给予补助，最高补助2000万元；对集成电路关键材料、核心设备等自主研发投入5000万元以上并实现实际销售的，按照不超过其研发投入的15%给予补助，最高补助5000万元；对开展EDA工具技术攻关，自主研发投入1000万元以上并实现实际销售的，按照不超过其自主研发投入的15%给予补助，最高补助2000万元。三是鼓励终端应用。鼓励终端厂商、系统方案集成商试用自主研发的集成电路产品、设备、材料，对使用非关联集成电路企业的首次上市产品，且当年度采购金额累计达1000万元以上的企业，按当年使用金额分档给予奖励。四是发挥产业基金和人才引领作用。对市重大产业项目，经市委、市政府研究决策后，可采取市、区县（市）1:1联动出资机制进行直投。对人才培养、认定和待遇落实提出支持意见。五是支持公共服务平台建设。对提供EDA工具和IP核、设计解决方案、先进工艺流片等设备，用于高端芯片支撑服务的集成电路公共技术平台，其实际建设投入在5亿元以上的，完工后按投资额的6%给予补助，最高补助5000万元。对公共服务平台（机构）按其服务中小企业收入的10%给予补助，最高补助1000万元。

来源：杭州市政府网站